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皇帝的新衣与半桥电路

米山人家原创禁止转载,多谢配合


(这里不讨论全桥结构,以后会另有论述)


皇帝做了一件非常华美的衣服,漂亮到无法想像,每个人都想看一眼,但是,只有智慧的人才能看到它,

而愚笨的人却看不到,虽然看不到,却没有人怀疑这件衣服.

在感应加热方面,同样的事情正在上演,就是,半桥电路很稳定,又简单又很可靠,是非常理想的加热电

源,如同传说中的皇帝的新衣一样.

相信很多人都做过或正在做半桥结构,也相信很多人的板都最终都会莫名其妙地炸掉,炸管不奇怪,问题

是,对半桥电路而言,功率管又不过流,也不过压,它为什么会炸.单管电路炸机原因很好分析,无外两

种原因,一是谐振电压过高,另外就是产生了硬切换,但是半桥电路是不存在过压的,它有反向二极管,

将IGBT电压箍位在安全水平,过流也不会,如果不信,可以将模块的耐流和耐压的容量扩大10倍,应该不

会过流或过压了吧,但是,它一样会炸.

所以,半桥电路会莫名其妙地炸机,在不过压不过流的情况下也会炸,炸机于无形之中,目前为止,我还

没有看到一篇关于半桥炸机真正原因的论述,反而是每个人都在说半桥如何安全如何可靠,即使自己的板

子炸的遍地开花,也没有看到任何人来否定半桥结构.当然了,也有高手能分析出真正的原因,却不会拿

出来轻易公开的.

以下是一些经验总结:
1,110V是安全电压,随便如何整,半桥是不会炸的;
2,220V时,半桥仍然很安全,适当调整安装,可以稳定工作;
3,380V时,10KW以内,经过精心调整后,半桥可以安全工作,但要求负载稳定,无变化;
4,380V,功率超过20KW后,短时间内也不会炸,但已经很不稳定
5,至于功率超过30KW,半桥基本很难生存了,不过做的好也许能工作一两个月.



当然了,无论如何,半桥仍然是一种非常稳定的结构,关键在于如何去驾驭它,这篇文章不是用来否定半桥的,只是想说,半桥是一种非常理想的结构,但是,如果不能真正掌握它,结果只会适得其反,稳定性可能还做不过单管结构.



为了解决半桥炸机问题,大家采取了好多方法,比如加吸收电容,我以前一直不明白,这个吸收电容是干

什么用的,因为半桥的中点电压已经被箍位的很好了,又用个电容来干什么,其实经验下来,它还是有点

用处的,在特定情况下,比如功率小于10KW,安装调试良好,它可以使电路稳定,但功率超过20KW时,它

反过来又会成为炸机的首要因素.不过加电容并不能解决根本问题,基本属于头痛医脚的措施,不过它有

时候却也有用.

也有人把炸机原因归结到驱动上面,比如上升沿或下降沿特定处理,或者是GE结特殊保护,等等,这仍不

是炸机根本问题,一样会炸.

更有人采用DSP技术,来分析控制半桥,以前也不懂,用这么快速的运算对半桥来说有什么意义呢,充其

量不过是另一件皇帝的新衣吧.不过现在看来,还是有点意义的,但估计没有人真正能用到实处.

还有人把半桥炸机归结为布线原因或是干扰,或是电源滤波等等,

或是ZVS或ZCS处理,其实半桥做到零流开关很容易的,相信能驱动半桥的人,都可以轻易做到零流开关,

但是这样的电路还是会炸.

还有用到锁相环技术的,或者保护电路如何先进,但是,锁相,要锁什么呢,至于保护,半桥根本不会过压或过流,又有什么需要保护的呢.

不过,较真起来说,真正的相位锁相,是有效果的,但是,做到真正的相位锁相,难度相当大,对电流相位锁相还是对电压相位锁相,如何能精确采样,又有谁能越正清楚

至于频率锁相,纯粹是蒙人的

半桥结构很简单,5KW的半桥电路和50KW的半桥电路结构完全相同,不同的只是功率模块容量不同,也就

是说,一个5KW电路,更换一下功率模块,就能工作到50KW(保证驱动的情况下),这个说法应该没人反

对吧,但是,没人敢去这样尝试,因为,基本上,一开机就炸了.

真正的炸机原因是什么呢,这个暂保留一下,希望大家多讨论,以后看情况公布自己理解的答案,当然了

,百家争鸣,见仁见智吧,还是希望大家多讨论.
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igbtsy
LV.9
32
2009-11-05 08:18
@igbtsy
测驱动波形用1:1探头,测UCE波形用10:1探头,驱动波形用1:1探头后,如果测到的还是象图中的波形,那是激劢上升沿和下降沿不徒直,正象我前几贴所说的那样,管子从截止到饱和,从饱和到截止,经过放大区时间过长,管芯的热量还没有传导到模块底板之前已过热而击穿了.
如果没有缓冲电容,UCE电压很高,管子瞬间开关损耗是管子上电压与电流之积,几百伏的电压与几安培的电流之积,其功耗足以使得开机瞬间炸掉管子.
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ayong168
LV.5
33
2009-11-05 19:37
@leawon947
IGBTSY前辈一如既往的帮我们解答,再次谢谢了,下面是我的驱动波形以及VCE波形,请帮忙分析是不是工作在软开关状态,如果我不要缓冲电容,一开机就炸管子[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/1929551257336671.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你还要拍出电流波形来才知道是否软开关
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leawon947
LV.2
34
2009-11-05 19:39
@igbtsy
如果没有缓冲电容,UCE电压很高,管子瞬间开关损耗是管子上电压与电流之积,几百伏的电压与几安培的电流之积,其功耗足以使得开机瞬间炸掉管子.
驱动波形用1:1探头后还是象图中的波形,那我要改变下驱动了,你是用芯片驱动还是用变压器驱动呢?有些人在缓冲电容里串了一个电阻与二极管,这样的效果是好点吗?一般电阻选择多大,如何确定阻值呢?
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igbtsy
LV.9
35
2009-11-06 08:12
@leawon947
驱动波形用1:1探头后还是象图中的波形,那我要改变下驱动了,你是用芯片驱动还是用变压器驱动呢?有些人在缓冲电容里串了一个电阻与二极管,这样的效果是好点吗?一般电阻选择多大,如何确定阻值呢?
自制的变压器驱动,3KW到30KW,半桥、全桥都是同一驱动电路,门极驱动电阻也不一定要更改,只要改换不同电流的模块以适应不同的功率.
吸收电阻可用可不用,细看本论坛中其它同行的机芯图片,可以看出他们的电路结构和大致的功能,好的学习,不好的要避免跟着范错误.
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igbtsy
LV.9
36
2009-11-06 08:18
@ayong168
你还要拍出电流波形来才知道是否软开关
不用看电流波形了,从电压波形上已看出电流相位迟后很多,电流是处于硬关断状态.电流相位迟后角度大约是60到70度,因此此时实际功率是很小的.;
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leawon947
LV.2
37
2009-11-06 20:12
@igbtsy
不用看电流波形了,从电压波形上已看出电流相位迟后很多,电流是处于硬关断状态.电流相位迟后角度大约是60到70度,因此此时实际功率是很小的.;
你们能做到低功率也在ZCS吗?我的低功率做不了零电流开通,因为我是调频调功的,请教前辈你是不是也是调频调功呢?
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leawon947
LV.2
38
2009-11-06 20:14
@igbtsy
不用看电流波形了,从电压波形上已看出电流相位迟后很多,电流是处于硬关断状态.电流相位迟后角度大约是60到70度,因此此时实际功率是很小的.;
怎么样才算是软开关呢?能解释下吗?
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igbtsy
LV.9
39
2009-11-07 08:19
@leawon947
你们能做到低功率也在ZCS吗?我的低功率做不了零电流开通,因为我是调频调功的,请教前辈你是不是也是调频调功呢?
调频调功偏离谐振点后,都不是ZCS工作状态,因此15KW半桥用调频调功是非常不安全的.
我朋友高手中的高手,20KW用半桥,非调频调功.在每个调功点上都是完全理想的ZVS、ZCS工作状态,散热器不大,散热器微温.这样的工作状态是令人放心的,已在用户处每天工作12小时,工作已近二年了.
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httm
LV.3
40
2009-11-07 23:51
@igbtsy
不用看电流波形了,从电压波形上已看出电流相位迟后很多,电流是处于硬关断状态.电流相位迟后角度大约是60到70度,因此此时实际功率是很小的.;
请问IGBTSY您是怎样确定电流相位迟后角度大约是60度.
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igbtsy
LV.9
41
2009-11-09 08:18
@httm
请问IGBTSY您是怎样确定电流相位迟后角度大约是60度.
细看UCE波形.
做得多了自然一看就明白,第一次试制时要看一下电流波形和激励脉冲波形,以后不管做什么机型,都无需看电流波形和激励脉冲波形,从电压波形上就可以看出电流相位迟后的角度.
事实上迟后多少角度没有必要关心具体值,因为最大功率是ZCS状态,做到这一点还有必要去关心电流相位迟后的角度吗?
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ayong168
LV.5
42
2009-11-10 00:58
@igbtsy
调频调功偏离谐振点后,都不是ZCS工作状态,因此15KW半桥用调频调功是非常不安全的.我朋友高手中的高手,20KW用半桥,非调频调功.在每个调功点上都是完全理想的ZVS、ZCS工作状态,散热器不大,散热器微温.这样的工作状态是令人放心的,已在用户处每天工作12小时,工作已近二年了.
30KW半桥2年内也没见有坏
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2009-11-18 16:08
@discussant
是啊,不要把半桥看得太复杂,只要原理讲得通,不要怕炸的,板子是会“讲理”的.
半桥电路表面上很简单,只要轮流控制上下臂导通就可以了

经单管电路还要简单,单管电路需要复杂的同步处理,而半桥就不用

闭着眼做个半桥就能工作,事实上,用到半桥电路的各类电源比比皆是


然而,这些都只是表面现象,都只是小功率,低电压

当半桥工作在380V或更高电压时,一切都会有根本变化了


做过的人都是深有体会的,会出现大量的意料不到的问题


半桥确实是种很好的结构,能轻易达到高功率,但是需要处理的技术细节是很多的

不管是全桥还是半桥,能工作在30KW以上,都是需要相当技术含量的
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igbtsy
LV.9
44
2009-11-19 08:10
@米山人家
半桥电路表面上很简单,只要轮流控制上下臂导通就可以了经单管电路还要简单,单管电路需要复杂的同步处理,而半桥就不用闭着眼做个半桥就能工作,事实上,用到半桥电路的各类电源比比皆是然而,这些都只是表面现象,都只是小功率,低电压当半桥工作在380V或更高电压时,一切都会有根本变化了做过的人都是深有体会的,会出现大量的意料不到的问题半桥确实是种很好的结构,能轻易达到高功率,但是需要处理的技术细节是很多的不管是全桥还是半桥,能工作在30KW以上,都是需要相当技术含量的
半桥、全桥确实比单管好做,单管最大的问题是容易产生电压击穿功率管,而半桥、全桥一般都不存在电压击穿管率管的现象.
半桥、全桥损坏功率管一般都是热击穿(包括短路,可以看作是瞬间过热的热击穿).只要避免了这种现象,不管你做多大的功率都不会损坏管子.
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leawon947
LV.2
45
2009-11-19 20:11
@igbtsy
自制的变压器驱动,3KW到30KW,半桥、全桥都是同一驱动电路,门极驱动电阻也不一定要更改,只要改换不同电流的模块以适应不同的功率.吸收电阻可用可不用,细看本论坛中其它同行的机芯图片,可以看出他们的电路结构和大致的功能,好的学习,不好的要避免跟着范错误.
igbtsy前辈,请问满足什么条件才是ZVS,我现在有点模糊了,如死区长到什么时候就不能ZVS,又或者说周期大到什么程度就不能ZVS了呢?虽然这是很低级的问题,但我还是要问
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igbtsy
LV.9
46
2009-11-20 08:57
@leawon947
igbtsy前辈,请问满足什么条件才是ZVS,我现在有点模糊了,如死区长到什么时候就不能ZVS,又或者说周期大到什么程度就不能ZVS了呢?虽然这是很低级的问题,但我还是要问
只要电压波形上没有硬开通或硬关断.
再发一次图,此图已发过多次,你应该看看其它的一些贴子,相关的说明都有.
此图是ZVS、也同时几乎是ZCS工作状态的UCE波形.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/606791258678664.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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leawon947
LV.2
47
2009-11-20 23:28
@igbtsy
只要电压波形上没有硬开通或硬关断.再发一次图,此图已发过多次,你应该看看其它的一些贴子,相关的说明都有.此图是ZVS、也同时几乎是ZCS工作状态的UCE波形.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/606791258678664.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
我分析了下,ZVS完全是靠缓冲电容,与死区关系不大,想不明白的是如果缓冲电容没有串电阻的话,当IGBT导通时,相当于电容两边短路了,那电流不是很大吗?如果有电阻,那么电流就小了.感觉RCD方式比只有电容的好?
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igbtsy
LV.9
48
2009-11-21 10:27
@leawon947
我分析了下,ZVS完全是靠缓冲电容,与死区关系不大,想不明白的是如果缓冲电容没有串电阻的话,当IGBT导通时,相当于电容两边短路了,那电流不是很大吗?如果有电阻,那么电流就小了.感觉RCD方式比只有电容的好?
RCD方式电阻功耗很大,对全密封的电气箱是不利的.
RCD方式仅用于小电流的4只单管组成全桥方式上用,因其可靠性不佳,现在均用IGBT模块.
模块裕量放5倍以上,电容放电时的一点点热量借助散热器出去了.就不用担心模块开通瞬间这一点点的电容短路放电电流.
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leawon947
LV.2
49
2009-11-22 11:50
@igbtsy
RCD方式电阻功耗很大,对全密封的电气箱是不利的.RCD方式仅用于小电流的4只单管组成全桥方式上用,因其可靠性不佳,现在均用IGBT模块.模块裕量放5倍以上,电容放电时的一点点热量借助散热器出去了.就不用担心模块开通瞬间这一点点的电容短路放电电流.
说得很有道理,你也同意零电压导通/关断也是靠缓冲电容来实现的了,是吗?死区只是防止直通,是不是这样呢?还请前辈指正.
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irex
LV.5
50
2009-11-22 12:20
在感應加熱中單管 半(全)橋 二者加熱方式 是完全不同的單管是屬於 金屬分子感應而加熱半(全)橋屬於 變壓器原理加熱這可以在二者機器加熱電流簡易理解金屬分子感應加熱, 溫度越高(沒進入居禮點)電流越大因為金屬分子因熱膨脹打開, 會吸收更多能量變壓器原理加熱, 是屬於感應電源短路流加熱溫度越高則金屬電阻加大, 電流因此變小因此, 半(全)橋要把金屬加到居禮點(720度)是有困難既使加到 電流也沒辦法向單管方式電離劇下二者技術上 差異很大能做好 半(全)橋的,不一並能做好大功率單管機感應加熱一定能洞悉理論,否則很難在這獲得更好技術IREX。
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igbtsy
LV.9
51
2009-11-23 08:03
@leawon947
说得很有道理,你也同意零电压导通/关断也是靠缓冲电容来实现的了,是吗?死区只是防止直通,是不是这样呢?还请前辈指正.
您的理介是对的
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leawon947
LV.2
52
2009-12-14 20:30
@igbtsy
您的理介是对的
igbtsy前辈,再请教下,三相电压的电压采样你是采哪里的电压呢?三相桥堆整流后的母线电压还是三相桥堆整流前的单相电压呢?先谢过!IGBT驱动你是用正负电源供电驱动吗?
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igbtsy
LV.9
53
2009-12-15 13:18
@leawon947
igbtsy前辈,再请教下,三相电压的电压采样你是采哪里的电压呢?三相桥堆整流后的母线电压还是三相桥堆整流前的单相电压呢?先谢过!IGBT驱动你是用正负电源供电驱动吗?
三相电压采样可以在交流端也可以在直流端,看方便和速度要求.
驱动用单电源就可以了,自动形成正负15V.
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ayong168
LV.5
54
2009-12-17 22:47
@米山人家
半桥电路表面上很简单,只要轮流控制上下臂导通就可以了经单管电路还要简单,单管电路需要复杂的同步处理,而半桥就不用闭着眼做个半桥就能工作,事实上,用到半桥电路的各类电源比比皆是然而,这些都只是表面现象,都只是小功率,低电压当半桥工作在380V或更高电压时,一切都会有根本变化了做过的人都是深有体会的,会出现大量的意料不到的问题半桥确实是种很好的结构,能轻易达到高功率,但是需要处理的技术细节是很多的不管是全桥还是半桥,能工作在30KW以上,都是需要相当技术含量的
感应加热是天生的傻瓜电路,是最简单的电路,哪来技术含量了呢? 比一个50W的硬开关电源技术含量还低
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qqqw
LV.2
55
2009-12-20 16:32
@irex
在感應加熱中單管半(全)橋二者加熱方式是完全不同的單管是屬於金屬分子感應而加熱半(全)橋屬於變壓器原理加熱這可以在二者機器加熱電流簡易理解金屬分子感應加熱,溫度越高(沒進入居禮點)電流越大因為金屬分子因熱膨脹打開,會吸收更多能量變壓器原理加熱,是屬於感應電源短路流加熱溫度越高則金屬電阻加大,電流因此變小因此,半(全)橋要把金屬加到居禮點(720度)是有困難既使加到電流也沒辦法向單管方式電離劇下二者技術上差異很大能做好半(全)橋的,不一並能做好大功率單管機感應加熱一定能洞悉理論,否則很難在這獲得更好技術IREX。
我做到输入380V电流500A工作也很稳定的.半桥
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leawon947
LV.2
56
2009-12-21 20:34
@igbtsy
三相电压采样可以在交流端也可以在直流端,看方便和速度要求.驱动用单电源就可以了,自动形成正负15V.
前辈,请问下我要做到30KW的功率除了调线盘感量,谐振电容外,还有什么地方可以改动让功率能上去呢?等待你的回复,谢谢了!
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igbtsy
LV.9
57
2009-12-22 08:17
@leawon947
前辈,请问下我要做到30KW的功率除了调线盘感量,谐振电容外,还有什么地方可以改动让功率能上去呢?等待你的回复,谢谢了!
线盘圈数越少功率越大,锅的厚度加厚功率也大,但不成比例,再厚下去就无效果了.
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LV.1
58
2009-12-23 13:51
@qqqw
我做到输入380V电流500A工作也很稳定的.半桥
半桥 300多KW,半桥!!!
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lyticast
LV.7
59
2009-12-26 22:57
谐振变换器怕进入容性区。这时候反并二极管会产生恢复dv/dt。其实炸的并不是IGBT,而是FRD。FRD击穿后进一步引起IGBT损坏。为了防止此类事情发生,要遵循慢速开通的原则,实在需要快速开通的,应该屏蔽掉内部的FRD,外接超高速的FRD。现在有了碳化硅肖特基二极管,用于这个场合是很合适的。
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LV.1
60
2009-12-27 01:33
@lyticast
谐振变换器怕进入容性区。这时候反并二极管会产生恢复dv/dt。其实炸的并不是IGBT,而是FRD。FRD击穿后进一步引起IGBT损坏。为了防止此类事情发生,要遵循慢速开通的原则,实在需要快速开通的,应该屏蔽掉内部的FRD,外接超高速的FRD。现在有了碳化硅肖特基二极管,用于这个场合是很合适的。

有这可能

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水蜘蛛
LV.8
61
2009-12-27 21:35

哈哈!做半桥炉子的关键是要换思想;如果抱着老观念不放;呐等你的只有一声闷响和那缕青烟。


呈几何时;单管电路花费了多少精英的心血,大家拿来一抄了之。。。哈哈史上总有些难抄的东西,只要通了;其实非常简单,不通;只有暂时瞪眼。


大多数在此的诸位;或多或少都有做电源的经历。做得好反激就一定能做得好半桥拓扑吗?这理不言自明。

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